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ロードロック式スパッタリング装置
特徴
- 当社独自のスパッタカソードを搭載
- ムービングマグネットにも対応し全面エロージョンが可能
- 当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載し基板温度900℃を実現
- 発光分析システムによるプラズマ分析とフィードバック制御により、高速かつ安定したリアクティブスパッタ成膜が可能
- リフトオフ等低温プロセスも対応可
- トレイ搬送も対応可
- CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可
用途
- 半導体
- MEMS
- 電子部品
- 光学部品
- 車載部品
仕様
基板サイズ 最大φ12インチ スパッタカソード マグネトロン方式
ターゲットシャッタスパッタ電源 RFまたはDC プロセスガス Ar、O2、N2、他 基板ステージ 基板加熱：700℃(基板表面)
自転：最高20rpm真空排気 構成1：TMP+DP
構成2：CP+DP圧力制御 APC制御 制御操作 制御：PLC
操作：タッチパネルまたはPCデータロギング 外部メモリまたはPC 基板搬送 真空搬送ロボット オプション 基板加熱900℃
基板バイアス(RFまたはDC)
基板冷却（低温成膜)
ムービングマグネット
磁性材ターゲット用カソード
発光分析システム
トレイ搬送
Q-MASS など -
多元スパッタリング装置
特徴
- 当社独自のスパッタカソードを搭載
- 基板ステージに3軸機構（昇降、公転、自転）を搭載し、均一な膜厚分布を実現
- 当社独自の急速昇降温基板加熱機構を搭載し、基板温度900℃を実現
- 最大4台のスパッタカソードを搭載し、金属膜、酸化膜等の積層成膜が可能
- トレイ搬送にも対応
- CVD室、蒸着室、プラズマクリーニング室等の組み合わせも対応可
用途
- 半導体
- MEMS
- 電子部品
- 光学部品
- 車載部品
仕様
基板サイズ 最大φ12インチ スパッタカソード マグネトロン方式
ターゲットシャッタスパッタ電源 RFまたはDC プロセスガス Ar、O2、N2、他 基板ステージ 基板加熱：700℃（基板表面)
自転：30rpm
公転：10rpm
昇降：50mmst真空排気 構成1：TMP+DP
構成2：CP+DP圧力制御 APC制御 制御操作 制御：PLC
操作：タッチパネルまたはPCデータロギング 外部メモリまたはPC 基板搬送 真空搬送ロボット オプション 基板加熱900℃
基板バイアス(RFまたはDC）
基板冷却(低温成膜)
ムービングマグネット
磁性材ターゲット用カソード
発光分析システム
トレイ搬送
Q-MASS etc -
立体物用バッチ式スパッタリング装置
特徴
- 当社独自のスパッタカソードを搭載
- ワークステージに4軸機構（昇降、公 転、自転、チルト）を搭載し、立体物成膜での高いカバレッジを実現
- 最大3台のスパッタカソードを搭載し、金属膜、酸化膜等の積層成膜が可能
用途
- MEMS
- 電子部品
- 光学部品
- 車載部品
仕様
基板サイズ 最大φ5インチ×高さ40mm
形状・サイズ・材質等で異なりますのでお問い合わせください。スパッタカソード マグネトロン方式
ターゲットシャッタスパッタ電源 RFまたはDC プロセスガス Ar、O2、N2、他 ワークステージ 加熱温度：500℃(ステージ表面)
自転：30rpm
公転：10rpm
昇降：40mmst
チルト機構：±30°
基板バイアス(RFまたはDC)真空排気 TMP+RP 圧力制御 APC制御 制御操作 制御：PLC
操作：タッチパネルまたはPCデータロギング 外部メモリまたはPC ワーク取り付け 上蓋昇降旋回開閉式 オプション 基板冷却(低温成膜)
ムービングマグネット
磁性材ターゲット用カソード
ドライポンプ
発光分析システム
Q-MASS など -
薄膜MEMS用
超高温スパッタリング装置
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薄膜MEMS用
バッチ式スパッタリング装置
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研究開発用IBS装置
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多元複合スパッタリング装置
※東北大学コインランドリーにて稼働中
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有機EL用
GB付きスパッタリング装置
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ロードロック式二元スパッタリング装置
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研究開発用
バッチ式三元スパッタリング装置
