• RTA装置

    RTA装置

    特徴

    • 減圧プロセスから加圧プロセス(0.9MPaG)まで対応可能
    • 基板表面の高速熱酸化、結晶化、アニーリング処理等が可能
    • 優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現
    • トレイ搬送にも対応可能

    用途

    • 半導体
    • MEMS
    • 電子部品

    仕様

    ウエハーサイズ 最大φ12インチ
    反応ガス O2、N2、H2O(オプション)
    基板加熱温度 最高1000℃(基板表面)
    加熱源 ハロゲンランプ
    昇温レート 最大150℃/sec
    真空排気 DP
    制御操作 制御:PLC
    操作:タッチパネルまたはPC
    データロギング 外部メモリまたはPC
    基板搬送 大気搬送ロボット
    冷却ステージ
  • 真空加熱乾燥炉

    真空加熱乾燥炉

    特徴

    • 使用温度範囲:最高450℃
    • 到達圧力:10Pa
    • 自動乾燥プロセスレシピ:30通り
    • 試料棚:2段

    用途

    • スパッタターゲットの真空乾燥
    • 真空部品の真空乾燥
    • 治具等の真空乾燥

    仕様

    有効寸法 600W x 500D x 200H
    試料棚(1段) 2段
    加熱温度 最高450℃
    真空排気 DP
    チャンバ冷却 水冷
    制御操作 制御:PLC
    操作:タッチパネルまたはPC
    データロギング 外部メモリまたはPC