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RTA装置
特徴
- 減圧プロセスから加圧プロセス（0.9MPaG）まで対応可能
- 基板表面の高速熱酸化、結晶化、アニーリング処理等が可能
- 優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現
- トレイ搬送にも対応可能
用途
- 半導体
- MEMS
- 電子部品
仕様
ウエハーサイズ 最大φ12インチ 反応ガス O2、N2、H2O（オプション） 基板加熱温度 最高1000℃（基板表面） 加熱源 ハロゲンランプ 昇温レート 最大150℃/sec 真空排気 DP 制御操作 制御：PLC
操作：タッチパネルまたはPCデータロギング 外部メモリまたはPC 基板搬送 大気搬送ロボット
冷却ステージ -
真空加熱乾燥炉
特徴
- 使用温度範囲：最高450℃
- 到達圧力：10Pa
- 自動乾燥プロセスレシピ：30通り
- 試料棚：2段
用途
- スパッタターゲットの真空乾燥
- 真空部品の真空乾燥
- 治具等の真空乾燥
仕様
有効寸法 600W x 500D x 200H 試料棚（1段） 2段 加熱温度 最高450℃ 真空排気 DP チャンバ冷却 水冷 制御操作 制御：PLC
操作：タッチパネルまたはPCデータロギング 外部メモリまたはPC
