• ドライエッチング装置

    ドライエッチング装置

    概要

    最大φ12インチ基板を全自動で連続処理することが可能な量産装置です。
    ガス種およびプラズマモードの切り替えによりエッチング、アッシング及びイオンクリーニングを可能とする汎用性に優れた装置です。

    特徴

    • RIEモードとDPモードの切り替えが可能
    • 特殊表面処理によるメタルコンタミ低減
    • 省フットプリント
    • 2周波独立印加方式
    • 超低温冷却ステージ

    用途

    • 半導体
    • MEMS
    • 電子部品

    仕様

    サイズ 最大φ12インチ
    プラズマソース CCP型
    真空排気 低真空プロセス:MBP+DP
    高真空プロセス:TMP+DP
    圧力制御 APC制御
    プロセスガス F系、Cl2、Ar、O2、他
    制御操作 制御:PLC
    操作:タッチパネルまたはPC
    データロギング 外部メモリまたはPC
    基板搬送 大気または真空搬送ロボット
    オプション 2周波独立印加方式
    超低温冷却ステージ
    静電チャックステージ
    メカチャックステージ
    発光分析システム
    ガス検知器
    シリンダーキャビネット など
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  • ICPプラズマエッチング装置

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